Nvidia chiede a Samsung i base die TSMC a 3 nm: la sfida HBM4E

📌 In Sintesi

• Nvidia avrebbe chiesto a Samsung, SK Hynix e Micron di utilizzare il processo TSMC a 3 nanometri per i base die delle memorie personalizzate NVHBM.
• Samsung avrebbe accettato le specifiche Nvidia, rinunciando per questo prodotto alla produzione interamente interna, senza abbandonare la propria strategia per le HBM tradizionali.
• NVHBM promette fino al 30% di banda aggiuntiva e consumi inferiori del 15% rispetto a HBM4E standard, secondo le specifiche dichiarate da Nvidia.

Nvidia potrebbe aver costretto Samsung a rivolgersi alla sua principale concorrente nel mercato delle fonderie, TSMC, per realizzare una componente decisiva delle future memorie destinate agli acceleratori di intelligenza artificiale. Secondo le informazioni pubblicate il 18 ottobre 2026 dal quotidiano sudcoreano Seoul Economic Daily, Samsung avrebbe accettato di utilizzare il processo produttivo TSMC a 3 nanometri per i base die delle memorie NVHBM, progettate secondo le specifiche Nvidia. Una scelta industriale che interromperebbe, limitatamente a questa linea di prodotti, il modello integrato con cui Samsung produce internamente sia i chip DRAM sia la logica sottostante. L’accordo non è stato confermato ufficialmente dalle aziende coinvolte, ma la notizia evidenzia quanto Nvidia stia aumentando il proprio potere contrattuale sull’intera filiera dei semiconduttori AI.

Nvidia vuole i 3 nanometri di TSMC anche nelle memorie prodotte da Samsung

Secondo la ricostruzione originale del Seoul Economic Daily, Nvidia avrebbe chiesto ai tre principali fornitori di memorie HBM, Samsung Electronics, SK Hynix e Micron, di adottare il processo TSMC a 3 nanometri per fabbricare il base die delle future NVHBM. Il componente costituisce la base logica dello stack di memoria e gestisce le comunicazioni tra i chip DRAM sovrapposti e l’acceleratore AI. Nvidia vorrebbe inoltre uniformare i die DRAM alla tecnologia di sesta generazione 1c, così da ridurre le differenze tra i prodotti dei vari fornitori e semplificare la validazione delle memorie. Samsung avrebbe accettato dopo una valutazione interna, pur disponendo di proprie linee foundry. La differenza rispetto al passato è sostanziale: nelle HBM4 e HBM4E tradizionali Samsung utilizza il proprio processo a 4 nanometri per il base die, mantenendo sotto il proprio controllo l’intera catena produttiva. Per le NVHBM destinate a Nvidia, invece, si prospetta un modello nel quale la memoria rimane coreana, ma la logica viene realizzata dalla concorrente taiwanese. Il passaggio confermerebbe il cambiamento nei rapporti industriali già emerso quando Nvidia e Samsung avevano iniziato a confrontarsi direttamente sul controllo delle fonderie e della memoria HBM.

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NVHBM sposta il controller nella memoria e promette il 30% di banda in più

La scelta dei 3 nanometri si spiega osservando l’architettura delle memorie personalizzate. Nvidia aveva presentato NVHBM il 26 agosto, indicando una soluzione progettata per integrare parte delle funzioni di controllo direttamente nel base die, anziché mantenerle sull’acceleratore. Nel documento tecnico ufficiale di Nvidia vengono dichiarati fino al 30% di banda aggiuntiva per stack, una riduzione dei consumi della memoria fino al 15% e un ingombro inferiore dell’interfaccia fisica, con risparmi che possono raggiungere il 67% dell’area PHY e di supporto rispetto a HBM4E standard. Il vantaggio consiste nel liberare spazio sul die dell’acceleratore per ulteriori circuiti di calcolo, riducendo contemporaneamente la quantità di energia necessaria allo scambio dei dati. Il processo TSMC a 3 nanometri offrirebbe la densità richiesta per integrare queste funzioni all’interno della base logica. Si tratta però di benefici progettuali dichiarati da Nvidia, non di misurazioni indipendenti effettuate sui chip Samsung-TSMC già commercializzati. La distinzione è importante perché il rendimento effettivo dipenderà dalla configurazione degli acceleratori, dal packaging e dalla capacità dei produttori di realizzare componenti funzionanti su larga scala. La necessità di ottimizzare memoria e interconnessioni conferma quanto già emerso con gli investimenti di SK Hynix nell’espansione HBM e le previsioni di scarsità fino al 2030.

Samsung rinuncia al vantaggio dell’integrazione verticale per soddisfare Nvidia

Il punto industriale più delicato riguarda Samsung Foundry, la divisione che compete direttamente con TSMC nella produzione di semiconduttori avanzati. Samsung possiede un vantaggio teorico rispetto ai produttori che acquistano tutti i componenti all’esterno: può realizzare memoria DRAM, base die e parte del packaging attraverso strutture appartenenti allo stesso gruppo. La richiesta attribuita a Nvidia ridurrebbe questo vantaggio nelle NVHBM, perché imporrebbe di coordinare produzione e tempi di consegna con una fonderia esterna. Secondo le fonti industriali citate dal quotidiano coreano, Samsung manterrebbe la strategia integrata per le HBM tradizionali e per altri clienti, compresa AMD, continuando nel frattempo a valutare una propria soluzione per NVHBM. La motivazione non sarebbe soltanto tecnologica: la capacità produttiva TSMC potrebbe diventare insufficiente rispetto alla domanda futura, aprendo spazio a fornitori alternativi. Il problema si inserisce nell’aumento dei prezzi dei processi avanzati TSMC provocato dalla domanda di infrastrutture AI. Per Samsung, quindi, accettare la filiera indicata da Nvidia potrebbe rappresentare un compromesso commerciale necessario per partecipare a un mercato particolarmente redditizio. Il cliente che controlla l’architettura dell’acceleratore finirebbe per influenzare anche quale fonderia produce una componente della memoria, ridimensionando l’autonomia dei fornitori.

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La notizia evidenzia un’evoluzione della competizione tra semiconduttori: Nvidia non si limita più ad acquistare memoria ad alta banda, ma punta a definire le caratteristiche tecniche dei componenti forniti da aziende concorrenti. Standardizzare il base die e le tecnologie DRAM può semplificare la progettazione degli acceleratori e ridurre i tempi necessari per qualificare prodotti provenienti da più fornitori, ma concentra anche una parte delle scelte industriali nelle mani del cliente dominante. Il rischio è che la filiera diventi contemporaneamente più efficiente e più dipendente da una singola fonderia avanzata. Le HBM personalizzate richiedono infatti non soltanto wafer DRAM, ma anche capacità produttiva per la logica e packaging ad alta densità: un ritardo in uno di questi passaggi può condizionare l’intera disponibilità degli acceleratori. La pressione sulle memorie ha già prodotto conseguenze nei mercati consumer, come documentato nell’analisi sul rinvio delle GPU RTX 60 e sulla capacità produttiva assorbita dall’intelligenza artificiale. In questo scenario Samsung deve scegliere quanto privilegiare l’indipendenza della propria fonderia e quanto adattarsi alle specifiche del cliente più importante. La collaborazione con TSMC resta una notizia industriale riportata da fonti non ufficiali, mentre i vantaggi dell’architettura NVHBM sono documentati direttamente da Nvidia. Se l’intesa venisse confermata, mostrerebbe una trasformazione importante: nella corsa all’intelligenza artificiale il potere non appartiene soltanto a chi produce memoria e chip, ma soprattutto a chi riesce a imporre l’architettura dell’intero sistema.